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BAR9002LSE6327XTSA1

BAR9002LSE6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BAR9002LSE6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BAR9002LSE6327XTSA1
설명 RF DIODE PIN 80V 150MW TSSLP-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,034
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 18 - 7월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAR9002LSE6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAR9002LSE6327XTSA1
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BAR9002LSE6327XTSA1, BAR9002LSE6327XTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 897.15 KB)
PDFBAR9002LSE6327XTSA1 데이터 시트 표지
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BAR9002LSE6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)80V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F0.35pF @ 1V, 1MHz
저항 @ If, F800mOhm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)150mW
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스0201 (0603 Metric)
공급자 장치 패키지PG-TSSLP-2

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현재-최대

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커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Broadcom Limited

시리즈

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다이오드 유형

Schottky - Single

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커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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1500V

현재-최대

4A

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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Broadcom Limited

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100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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SOT-363

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.28pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

800mOhm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

135mW

작동 온도

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패키지 / 케이스

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