BAP55LX,315
참조 용
| 부품 번호 | BAP55LX,315 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | BAP55LX-315 | ||||||||||||||||||
| 설명 | RF DIODE PIN 50V 135MW 2DFN | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | NXP | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 43,330 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 7월 12 - 7월 17 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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BAP55LX 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BAP55LX,315 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 다이오드-RF |
| 데이터 시트 |
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BAP55LX 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | PIN - Single |
| 전압-피크 역방향 (최대) | 50V |
| 현재-최대 | 100mA |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 0.28pF @ 20V, 1MHz |
| 저항 @ If, F | 800mOhm @ 100mA, 100MHz |
| 전력 손실 (최대) | 135mW |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 패키지 / 케이스 | 2-XDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 2-DFN1006D (0.6x1.0) |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대) 50V 현재-최대 100mA 커패시턴스 @ Vr, F 0.32pF @ 20V, 1MHz 저항 @ If, F 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz 전력 손실 (최대) 715mW 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 SC-79, SOD-523 공급자 장치 패키지 SOD-523 |
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제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky - Single 전압-피크 역방향 (최대) 70V 현재-최대 15mA 커패시턴스 @ Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F - 전력 손실 (최대) 250mW 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대) 30V 현재-최대 50mA 커패시턴스 @ Vr, F 0.5pF @ 0V, 100MHz 저항 @ If, F 50Ohm @ 1.5mA, 100MHz 전력 손실 (최대) - 작동 온도 125°C (TJ) 패키지 / 케이스 DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 공급자 장치 패키지 SOD-80 MiniMELF |
