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APTC60AM45T1G

APTC60AM45T1G

참조 용

부품 번호 APTC60AM45T1G
PNEDA 부품 번호 APTC60AM45T1G
설명 MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,526
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTC60AM45T1G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTC60AM45T1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • APTC60AM45T1G Distributor

APTC60AM45T1G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)49A
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.9V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs150nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7200pF @ 25V
전력-최대250W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP1
공급자 장치 패키지SP1

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드레인-소스 전압 (Vdss)

24V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

FDMA2002NZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

123mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

220pF @ 15V

전력-최대

650mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-MicroFET (2x2)

제조업체

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

65V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90.4mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.3nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

535pF @ 25V

전력-최대

3.15W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

20-SO

제조업체

IXYS

시리즈

TrenchMV™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

85V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

112A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

152nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7600pF @ 25V

전력-최대

150W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUSi5-Pak™

공급자 장치 패키지

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FPF1C2P5BF07A

ON Semiconductor

제조업체

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FET 유형

5 N-Channel (Solar Inverter)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

250W

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