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FPF1C2P5BF07A

FPF1C2P5BF07A

참조 용

부품 번호 FPF1C2P5BF07A
PNEDA 부품 번호 FPF1C2P5BF07A
설명 MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 2,250
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FPF1C2P5BF07A 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FPF1C2P5BF07A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FPF1C2P5BF07A, FPF1C2P5BF07A 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 2,446.59 KB)
PDFFPF1C2P5BF07A 데이터 시트 표지
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FPF1C2P5BF07A 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형5 N-Channel (Solar Inverter)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)36A
Rds On (최대) @ Id, Vgs90mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대250W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스F1 Module
공급자 장치 패키지F1

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ON Semiconductor

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

28A (Ta), 95A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.12mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5035pF @ 15V

전력-최대

2.1W (Ta), 29W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1510pF @ 10V

전력-최대

1.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-DFN-EP (2x5)

FMK75-01F

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

APTM100A12STG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

68A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

616nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

17400pF @ 25V

전력-최대

1250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

750mA, 600mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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500mW

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