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부품 번호	설명	재고 있음
7164L55DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-CerDip	재고 있음3,350
7164L35DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-CerDip	재고 있음50
7164L25DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-CerDip	재고 있음669
7164L20DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-CerDip	재고 있음32
7164L100DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-CerDip	재고 있음37
MT25QL02GCBB8E12-0AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)	재고 있음1,034
CY7C1460KV33-200AXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: NoBL™ 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.2ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음6,264
70V05L15PFG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 64TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 15ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LQFP 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (14x14)	재고 있음574
7024L15PFG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (4K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 15ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음4,231
7164S55DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-CerDip	재고 있음492
7164S45DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-CerDip	재고 있음9,492
7164S25TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 28-CDIP	재고 있음215
7164S20TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 28-CDIP	재고 있음8,242
7164S100DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-CerDip	재고 있음824
7164L70TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 28-CDIP	재고 있음289
7164L45TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 28-CDIP	재고 있음5,724
7164L35TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 28-CDIP	재고 있음142
7164L25TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 28-CDIP	재고 있음6,857
AS6C3216A-55BIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC SRAM 32M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 32Mb (2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (8x10)	재고 있음3,372
IS45S16320F-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x13)	재고 있음3,507
MT53E256M32D2DS-053 AUT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.866GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,134
MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 16G PARALLEL 100VBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 16Gb (2G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VBGA 공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)	재고 있음193
7005S35PFG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 64TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LQFP 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (14x14)	재고 있음46
AS7C316098A-10BINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC SRAM 16M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음1,621
MT53E256M32D2DS-053 AAT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.866GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,736
IS61VPS51236B-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음565
MT47H128M16RT-25E AAT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (9x12.5)	재고 있음6,623
6116SA25TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음68
MTFC8GACAEDQ-AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 64G MMC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: e•MMC™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 64Gb (8G x 8) 메모리 인터페이스: MMC 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)	재고 있음1,765
6116SA150TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음2,631

7164L55DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-CerDip

재고 있음3,350

7164L35DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-CerDip

재고 있음50

7164L25DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-CerDip

재고 있음669

7164L20DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-CerDip

재고 있음32

7164L100DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-CerDip

재고 있음37

MT25QL02GCBB8E12-0AAT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)

재고 있음1,034

CY7C1460KV33-200AXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: NoBL™
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.2ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음6,264

70V05L15PFG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 64TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 15ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LQFP
공급자 장치 패키지: 64-TQFP (14x14)

재고 있음574

7024L15PFG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (4K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 15ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음4,231

7164S55DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-CerDip

재고 있음492

7164S45DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-CerDip

재고 있음9,492

7164S25TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 28-CDIP

재고 있음215

7164S20TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 28-CDIP

재고 있음8,242

7164S100DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-CerDip

재고 있음824

7164L70TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 28-CDIP

재고 있음289

7164L45TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 28-CDIP

재고 있음5,724

7164L35TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 28-CDIP

재고 있음142

7164L25TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 28-CDIP

재고 있음6,857

AS6C3216A-55BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC SRAM 32M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (8x10)

재고 있음3,372

IS45S16320F-7BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x13)

재고 있음3,507

MT53E256M32D2DS-053 AUT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.866GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,134

MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 16G PARALLEL 100VBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 16Gb (2G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VBGA
공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)

재고 있음193

7005S35PFG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 64TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LQFP
공급자 장치 패키지: 64-TQFP (14x14)

재고 있음46

AS7C316098A-10BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC SRAM 16M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)

재고 있음1,621

MT53E256M32D2DS-053 AAT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.866GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,736

IS61VPS51236B-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3ns
전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)

재고 있음565

MT47H128M16RT-25E AAT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (9x12.5)

재고 있음6,623

6116SA25TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음68

MTFC8GACAEDQ-AAT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 64G MMC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: e•MMC™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 64Gb (8G x 8)
메모리 인터페이스: MMC
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)

재고 있음1,765

6116SA150TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음2,631

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