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부품 번호	설명	재고 있음
MT44K32M18RB-107E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음6,287
MT44K16M36RB-107E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음411
7052L25PFGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 120TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Quad Port, Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 120-LQFP 공급자 장치 패키지: 120-TQFP (14x14)	재고 있음515
MTFC32GAKAEEF-AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G MMC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: e•MMC™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: MMC 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 169-TFBGA 공급자 장치 패키지: 169-TFBGA (14x18)	재고 있음937
MTFC32GAKAEDQ-AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G MMC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: e•MMC™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: MMC 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)	재고 있음8,882
MT53E768M32D4DT-046 AIT:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,380
7007L20JGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 68PLCC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 68-LCC (J-Lead) 공급자 장치 패키지: 68-PLCC (24.21x24.21)	재고 있음2,537
CY7C1069DV33-10ZSXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음1,212
7007L20PFGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 80TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 80-LQFP 공급자 장치 패키지: 80-TQFP (14x14)	재고 있음930
CY7C1420LV18-250BZXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음1,916
CY7C1425KV18-250BZI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II 메모리 크기: 36Mb (4M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음172
MT53E768M32D4DT-053 WT:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.866GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음643
MT29F16G08AJADAWP-IT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 16Gb (2G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음1
MTFC128GAOAMEA-WT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1T MMC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: e•MMC™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Tb (128G x 8) 메모리 인터페이스: MMC 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,162
CY7C1414KV18-250BZCT Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음511
MTA4ATF51264AZ-2G6E1 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 32Gb (512M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,671
MT41K1G8RKB-107:P Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM 8G DIE 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)	재고 있음1,303
7007L15JG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 68PLCC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 15ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 68-LCC (J-Lead) 공급자 장치 패키지: 68-PLCC (24.21x24.21)	재고 있음909
MT40A1G16KNR-062E:E Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 MULTICHIP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 16Gb (1G x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)	재고 있음3,090
MTFC32GAPALBH-AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G MMC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: e•MMC™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: MMC 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-TFBGA 공급자 장치 패키지: 153-TFBGA (11.5x13)	재고 있음107
MT53D512M32D2DS-046 AAT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 2133MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음426
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1866MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음396
70V06L20PFGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 128K PARALLEL 64TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 128Kb (16K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LQFP 공급자 장치 패키지: 64-TQFP	재고 있음4,400
CY7C1380D-167BZC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.4ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음272
CY14B104NA-BA45XE Cypress Semiconductor	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x10)	재고 있음234
MTFC32GAPALBH-AIT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G MMC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: e•MMC™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: MMC 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-TFBGA 공급자 장치 패키지: 153-TFBGA (11.5x13)	재고 있음3,057
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1866MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음5,147
CY7C1312LV18-300BZXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음140
71T75802S150BG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음2,762
MT52L256M64D2LZ-107 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 216-WFBGA 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)	재고 있음1,096

MT44K32M18RB-107E:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음6,287

MT44K16M36RB-107E:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음411

7052L25PFGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 120TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Quad Port, Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 120-LQFP
공급자 장치 패키지: 120-TQFP (14x14)

재고 있음515

MTFC32GAKAEEF-AAT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G MMC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: e•MMC™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: MMC
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 169-TFBGA
공급자 장치 패키지: 169-TFBGA (14x18)

재고 있음937

MTFC32GAKAEDQ-AAT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G MMC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: e•MMC™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: MMC
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)

재고 있음8,882

MT53E768M32D4DT-046 AIT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,380

7007L20JGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 68PLCC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 68-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지: 68-PLCC (24.21x24.21)

재고 있음2,537

CY7C1069DV33-10ZSXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음1,212

7007L20PFGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 80TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 80-LQFP
공급자 장치 패키지: 80-TQFP (14x14)

재고 있음930

CY7C1420LV18-250BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음1,916

CY7C1425KV18-250BZI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II
메모리 크기: 36Mb (4M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음172

MT53E768M32D4DT-053 WT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.866GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음643

MT29F16G08AJADAWP-IT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 16Gb (2G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음1

MTFC128GAOAMEA-WT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1T MMC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: e•MMC™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Tb (128G x 8)
메모리 인터페이스: MMC
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,162

CY7C1414KV18-250BZCT

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음511

MTA4ATF51264AZ-2G6E1

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,671

MT41K1G8RKB-107:P

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM 8G DIE

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)

재고 있음1,303

7007L15JG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 68PLCC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 15ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 68-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지: 68-PLCC (24.21x24.21)

재고 있음909

MT40A1G16KNR-062E:E

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR4 MULTICHIP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 16Gb (1G x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)

재고 있음3,090

MTFC32GAPALBH-AAT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G MMC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: e•MMC™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: MMC
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-TFBGA
공급자 장치 패키지: 153-TFBGA (11.5x13)

재고 있음107

MT53D512M32D2DS-046 AAT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음426

MT53D512M32D2DS-053 AAT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음396

70V06L20PFGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 128K PARALLEL 64TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 128Kb (16K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LQFP
공급자 장치 패키지: 64-TQFP

재고 있음4,400

CY7C1380D-167BZC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.4ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음272

CY14B104NA-BA45XE

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x10)

재고 있음234

MTFC32GAPALBH-AIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G MMC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: e•MMC™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: MMC
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-TFBGA
공급자 장치 패키지: 153-TFBGA (11.5x13)

재고 있음3,057

MT53D512M32D2DS-053 AIT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음5,147

CY7C1312LV18-300BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음140

71T75802S150BG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 150MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.8ns
전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음2,762

MT52L256M64D2LZ-107 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 216-WFBGA
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)

재고 있음1,096

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