트랜지스터

IPAN60R180P7SXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CONSUMER

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAN60R650CEXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 600V 9.9A TO220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 100V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 28W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAN60R800CEXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 600V 8.4A TO220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 170µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 373pF @ 100V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 27W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAN65R650CEXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.1A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 210µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 100V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 28W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAN70R360P7SXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 517pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 26.5W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAN70R450P7SXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET COOLMOS 700V TO251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 120µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.1nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 424pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 22.7W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAN70R600P7SXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 364pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 24.9W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAN70R750P7SXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET COOLMOS 700V TO251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 70µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 306pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 20.8W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAN70R900P7SXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET COOLMOS 700V TO251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 60µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 211pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 17.9W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAN80R280P7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 360µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 500V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAN80R360P7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 280µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 930pF @ 500V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAN80R450P7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 220µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 500V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 29W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-31 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAW60R180P7SXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 280µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1081pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 26W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAW60R190CEXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26.7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 630µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 100V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 34W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAW60R280CEXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19.3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 430µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 100V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 32W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Variant

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IPAW60R280P7SE8228XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CONSUMER

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 190µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 761pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 24W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAW60R280P7SXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 600V 12A TO220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 190µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 761pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 24W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAW60R360P7SE8228XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CONSUMER

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 140µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 555pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 22W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAW60R360P7SXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 140µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 555pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 22W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAW60R380CEXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 320µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 100V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 31W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAW60R600CEXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 444pF @ 100V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 28W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAW60R600P7SE8228XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CONSUMER

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 80µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 363pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 21W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAW60R600P7SXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 80µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 363pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 21W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAW70R600CEXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 210µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 474pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 86W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-31 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPAW70R950CEXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 7.4A TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.3nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 328pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 68W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-31 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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IPB009N03LGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 227nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25000pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 250W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO263-7-3
• 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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IPB010N06NATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Ta), 180A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 280µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 208nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15000pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO263-7
• 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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IPB011N04LGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 346nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 29000pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 250W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO263-7-3
• 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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IPB011N04NGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20000pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 250W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO263-7-3
• 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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IPB014N06NATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Ta), 180A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 143µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 106nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7800pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 214W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO263-7
• 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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