트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V TO-220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 785pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 32W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,012
IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 80µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 500V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,320
IPA80R1K4CEXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V TO-220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 240µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 31W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,650
IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 240µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 31W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음16,104
IPA80R1K4P7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 4A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 700µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 500V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 24W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,462
IPA80R280P7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 17A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 360µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 500V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음15,480
IPA80R310CEXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V TO-220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2320pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 35W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,254
IPA80R310CEXKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V TO-220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2320pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 35W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음14,592
IPA80R360P7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 280µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 930pF @ 500V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음4,968
IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 11A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 220µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 500V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 29W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음14,520
IPA80R460CEXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V TO-220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 680µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 34W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,560
IPA80R460CEXKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V TO-220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 680µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 34W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,102
IPA80R600P7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 170µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 500V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음8,694
IPA80R650CEXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V TO-220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 470µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 33W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음4,104
IPA80R650CEXKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V TO-220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 470µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 33W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음14,940
IPA80R750P7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 140µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 500V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 27W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음8,496
IPA80R900P7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 110µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 500V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 26W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,238
IPA90R1K0C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 370µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 32W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음12,780
IPA90R1K2C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 310µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 31W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음9,720
IPA90R1K2C3XKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음5,598
IPA90R340C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 35W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음24,666
IPA90R340C3XKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 35W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음3,078
IPA90R500C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 740µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 34W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음58,842
IPA90R500C3XKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 740µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 34W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음8,028
IPA90R800C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 460µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음19,716
IPA90R800C3XKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,552
IPA95R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 950V 6A TO252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 140µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 478pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 27W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음12,042
IPA95R450P7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 950V 14A TO252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 360µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1053pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음9,576
IPA95R750P7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 950V 9A TO252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 220µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 712pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음20,388
IPAN50R500CEXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 500V 11.1A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 433pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음8,856

IPA80R1K0CEXKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V TO-220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 785pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 32W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,012

IPA80R1K2P7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 80µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 500V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,320

IPA80R1K4CEXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V TO-220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 240µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 31W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,650

IPA80R1K4CEXKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 240µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 31W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음16,104

IPA80R1K4P7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 4A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 700µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 500V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 24W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,462

IPA80R280P7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 17A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 360µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 500V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음15,480

IPA80R310CEXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V TO-220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2320pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 35W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,254

IPA80R310CEXKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V TO-220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2320pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 35W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음14,592

IPA80R360P7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 280µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 930pF @ 500V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음4,968

IPA80R450P7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 11A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 220µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 500V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 29W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음14,520

IPA80R460CEXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V TO-220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 680µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 34W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,560

IPA80R460CEXKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V TO-220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 680µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 34W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,102

IPA80R600P7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 170µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 500V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음8,694

IPA80R650CEXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V TO-220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 470µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 33W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음4,104

IPA80R650CEXKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V TO-220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 470µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 33W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음14,940

IPA80R750P7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 140µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 500V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 27W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음8,496

IPA80R900P7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 110µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 500V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 26W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,238

IPA90R1K0C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 370µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 32W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음12,780

IPA90R1K2C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 310µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 31W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음9,720

IPA90R1K2C3XKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음5,598

IPA90R340C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 35W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음24,666

IPA90R340C3XKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 35W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음3,078

IPA90R500C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 740µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 34W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음58,842

IPA90R500C3XKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 740µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 34W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음8,028

IPA90R800C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 460µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음19,716

IPA90R800C3XKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,552

IPA95R1K2P7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 950V 6A TO252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 140µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 478pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 27W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음12,042

IPA95R450P7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 950V 14A TO252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 360µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1053pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음9,576

IPA95R750P7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 950V 9A TO252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 220µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 712pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음20,388

IPAN50R500CEXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 500V 11.1A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 433pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음8,856

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