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메모리 IC

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IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)
재고 있음4,698
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IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)
재고 있음7,452
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  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 667MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)
재고 있음5,886
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  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
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  • 패키지 / 케이스: 96-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)
재고 있음6,678
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  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 667MHz
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  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)
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  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 667MHz
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)
재고 있음5,724
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  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
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  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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재고 있음5,832
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  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
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재고 있음5,688
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  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
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재고 있음8,730
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IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
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  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (10x14)
재고 있음5,358
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IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
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  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
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  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
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IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
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IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
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IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
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재고 있음2,302
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  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
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  • 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)
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IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
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  • 시계 주파수: 667MHz
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  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
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  • 시계 주파수: 800MHz
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재고 있음5,814
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IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
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  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
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  • 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)
재고 있음2,160
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IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
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  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
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  • 장착 유형: Surface Mount
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  • 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)
재고 있음3,636
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IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
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  • 시계 주파수: 800MHz
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  • 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)
재고 있음3,186
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IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
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  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
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  • 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)
재고 있음8,208
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  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
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  • 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)
재고 있음6,084
IS43TR16640B-107MBLI-TR
IS43TR16640B-107MBLI-TR

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IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)
재고 있음6,948
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IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)
재고 있음8,046
IS43TR16640B-125JBL
IS43TR16640B-125JBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)
재고 있음7,188
IS43TR16640B-125JBLI
IS43TR16640B-125JBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)
재고 있음5,886
IS43TR16640B-125JBLI-TR
IS43TR16640B-125JBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)
재고 있음3,598
IS43TR16640B-125JBL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)
재고 있음2,286