메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS43TR16256A-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음3,402
IS43TR16256AL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음4,014
IS43TR16256AL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음3,510
IS43TR16256AL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음3,996
IS43TR16256AL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음5,760
IS43TR16256AL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음13,856
IS43TR16256AL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음2,806
IS43TR16256AL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음4,532
IS43TR16256AL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음7,722
IS43TR16256AL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음5,544
IS43TR16256AL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음23,997
IS43TR16256AL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음4,644
IS43TR16256AL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음4,248
IS43TR16256B-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 4G 1.5V DDR3 256MX16 1866MT 96 B 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음8,190
IS43TR16256B-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 4G 1.5V DDR3 256MX16 1600MT 96 B 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음8,820
IS43TR16256B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 4G 1.5V DDR3 256MX16 1600MT 96 B 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음8,100
IS43TR16256BL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 4G 1.35V DDR3 256MX16 1866MT 96 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음8,946
IS43TR16256BL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 4G 1.35V DDR3 256MX16 1866MT 96 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음7,776
IS43TR16256BL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 4G 1.35V DDR3L 256MX16 1600MT 96 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음8,226
IS43TR16256BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 4G 1.35V DDR3L 256MX16 1600MT 96 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음2,356
IS43TR16512A-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-LFBGA 공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)	재고 있음8,808
IS43TR16512A-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-LFBGA 공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)	재고 있음7,392
IS43TR16512A-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-LFBGA 공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)	재고 있음7,488
IS43TR16512A-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-LFBGA 공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)	재고 있음6,300
IS43TR16512A-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-LFBGA 공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)	재고 있음4,338
IS43TR16512A-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-LFBGA 공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)	재고 있음3,420
IS43TR16512A-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-LFBGA 공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)	재고 있음5,256
IS43TR16512A-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-LFBGA 공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)	재고 있음8,388
IS43TR16512AL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-LFBGA 공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)	재고 있음281
IS43TR16512AL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-LFBGA 공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)	재고 있음1,405

IS43TR16256A-15HBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)

재고 있음3,402

IS43TR16256AL-107MBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)

재고 있음4,014

IS43TR16256AL-107MBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)

재고 있음3,510

IS43TR16256AL-107MBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)

재고 있음3,996

IS43TR16256AL-107MBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
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전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)

재고 있음5,760

IS43TR16256AL-125KBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
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시계 주파수: 800MHz
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전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
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장착 유형: Surface Mount
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IS43TR16256AL-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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IS43TR16256AL-125KBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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IS43TR16256AL-125KBL-TR

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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IS43TR16256AL-15HBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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IS43TR16256AL-15HBLI

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43TR16256AL-15HBLI-TR

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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IS43TR16256AL-15HBL-TR

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
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IS43TR16256B-107MBLI

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4G 1.5V DDR3 256MX16 1866MT 96 B

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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IS43TR16256B-125KBL

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4G 1.5V DDR3 256MX16 1600MT 96 B

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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IS43TR16256B-125KBLI

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4G 1.5V DDR3 256MX16 1600MT 96 B

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
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IS43TR16256BL-107MBL

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4G 1.35V DDR3 256MX16 1866MT 96

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
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IS43TR16256BL-107MBLI

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4G 1.35V DDR3 256MX16 1866MT 96

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
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전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
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IS43TR16256BL-125KBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

4G 1.35V DDR3L 256MX16 1600MT 96

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
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재고 있음8,226

IS43TR16256BL-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

4G 1.35V DDR3L 256MX16 1600MT 96

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
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전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
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메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
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재고 있음8,808

IS43TR16512A-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
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접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-LFBGA
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재고 있음7,392

IS43TR16512A-125KBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-LFBGA
공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)

재고 있음7,488

IS43TR16512A-125KBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
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접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-LFBGA
공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)

재고 있음6,300

IS43TR16512A-15HBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-LFBGA
공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)

재고 있음4,338

IS43TR16512A-15HBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-LFBGA
공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)

재고 있음3,420

IS43TR16512A-15HBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-LFBGA
공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)

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IS43TR16512A-15HBL-TR

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IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
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접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-LFBGA
공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)

재고 있음8,388

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IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
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접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-LFBGA
공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)

재고 있음281

IS43TR16512AL-125KBLI

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IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-LFBGA
공급자 장치 패키지: 96-LFBGA (10x14)

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