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메모리 IC

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IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.4ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음8,964
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IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.4ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.88ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음2,718
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 250MHz
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음4,068
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - DDR2
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - DDR2
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  • 접근 시간: 6.3ns
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.4ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.4ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
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IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.88ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음2,322
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.88ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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재고 있음6,264
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 250MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 6.3ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음6,768
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IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 250MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 6.3ns
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음5,562
IDT71P74604S167BQ
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기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.4ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음6,768
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IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.4ns
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  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음2,574
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IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
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  • 시계 주파수: 167MHz
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  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음4,752
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
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  • 접근 시간: 8.4ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음2,142
IDT71P74604S200BQ
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.4ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음5,922
IDT71P74604S200BQ8
IDT71P74604S200BQ8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.4ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음8,586
IDT71P74604S200BQG
IDT71P74604S200BQG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.4ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음2,808
IDT71P74604S200BQG8
IDT71P74604S200BQG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.4ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음3,276
IDT71P74604S250BQ
IDT71P74604S250BQ

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 250MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.4ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음4,356