메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IDT7164L20YI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음5,562
IDT7164L25YI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음8,604
IDT7164L25YI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음8,874
IDT7164L35Y IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음8,424
IDT7164L35YG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음3,526
IDT7164L35YG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음2,052
IDT7164L35YGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음2,592
IDT7164L35YGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음6,984
IDT7164LS20Y IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음5,544
IDT7164LS20Y8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음5,148
IDT7164S20TP IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음6,282
IDT7164S20TPI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음7,308
IDT7164S20Y IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음8,550
IDT7164S20Y8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음4,356
IDT7164S20YI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음2,376
IDT7164S20YI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음5,400
IDT7164S35TPG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음6,804
IDT7164S35YG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음7,344
IDT7164S35YG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음8,280
IDT7164S35YGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음3,528
IDT7164S35YGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음4,536
IDT71P71604S167BQ IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음5,688
IDT71P71604S167BQ8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음4,464
IDT71P71604S167BQG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음4,086
IDT71P71604S167BQG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음5,886
IDT71P71604S200BQ IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.88ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음8,460
IDT71P71604S200BQ8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.88ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음3,150
IDT71P71604S200BQG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.88ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음2,898
IDT71P71604S200BQG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.88ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음8,568
IDT71P71604S250BQ IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.3ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음7,650

IDT7164L20YI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음5,562

IDT7164L25YI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음8,604

IDT7164L25YI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음8,874

IDT7164L35Y

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음8,424

IDT7164L35YG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음3,526

IDT7164L35YG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음2,052

IDT7164L35YGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음2,592

IDT7164L35YGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음6,984

IDT7164LS20Y

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음5,544

IDT7164LS20Y8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음5,148

IDT7164S20TP

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 28-PDIP

재고 있음6,282

IDT7164S20TPI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 28-PDIP

재고 있음7,308

IDT7164S20Y

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음8,550

IDT7164S20Y8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음4,356

IDT7164S20YI

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음2,376

IDT7164S20YI8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음5,400

IDT7164S35TPG

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 28-PDIP

재고 있음6,804

IDT7164S35YG

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음7,344

IDT7164S35YG8

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IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음8,280

IDT7164S35YGI

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음3,528

IDT7164S35YGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음4,536

IDT71P71604S167BQ

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음5,688

IDT71P71604S167BQ8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음4,464

IDT71P71604S167BQG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음4,086

IDT71P71604S167BQG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음5,886

IDT71P71604S200BQ

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.88ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음8,460

IDT71P71604S200BQ8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.88ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음3,150

IDT71P71604S200BQG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.88ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음2,898

IDT71P71604S200BQG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.88ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음8,568

IDT71P71604S250BQ

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6.3ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

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