다이오드 및 정류기

부품 번호	설명	재고 있음
1N5551C.TR Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -	재고 있음6,462
1N5551US Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 5A 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -	재고 있음8,856
1N5551US Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 3A D5B 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF, B 공급자 장치 패키지: D-5B 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음5,238
1N5552 Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -	재고 있음2,448
1N5552 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: B, Axial 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음5,526
1N5552C.TR Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -	재고 있음5,634
1N5552/TR Microsemi	정류기-싱글 STD RECTIFIER 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: B, Axial 공급자 장치 패키지: B, Axial 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음7,362
1N5552US Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 3A D5B 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF, B 공급자 장치 패키지: D-5B 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음5,886
1N5552US/TR Microsemi	정류기-싱글 STD RECTIFIER 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF, E 공급자 장치 패키지: D-5B 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음5,166
1N5553 Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -	재고 있음57
1N5553 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: B, Axial 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음164
1N5553C.TR Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -	재고 있음2,502
1N5553US Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 5A 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -	재고 있음3,562
1N5553US Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF, B 공급자 장치 패키지: B, SQ-MELF 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음6,768
1N5554 Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -	재고 있음32
1N5554 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: B, Axial 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음15
1N5554C.TR Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -	재고 있음3,562
1N5554US Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 5A 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -	재고 있음5,310
1N5554US Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF, B 공급자 장치 패키지: B, SQ-MELF 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음9,792
1N5554US/TR Microsemi	정류기-싱글 STD RECTIFIER 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 9A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF, E 공급자 장치 패키지: D-5B 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음2,268
1N5614 Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음177
1N5614 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: A, Axial 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C	재고 있음203
1N5614GP-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음7,920
1N5614GP-E3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음8,154
1N5614GPHE3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음3,132
1N5614US Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 1A D5A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF, A 공급자 장치 패키지: D-5A 작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C	재고 있음6,444
1N5615 Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 27pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음5,178
1N5615 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: A, Axial 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음3,622
1N5615GP-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음34,986
1N5615GP-E3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음7,956

1N5551C.TR

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -

재고 있음6,462

1N5551US

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 5A

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -

재고 있음8,856

1N5551US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF, B
공급자 장치 패키지: D-5B
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음5,238

1N5552

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -

재고 있음2,448

1N5552

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: B, Axial
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음5,526

1N5552C.TR

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -

재고 있음5,634

1N5552/TR

Microsemi

정류기-싱글

STD RECTIFIER

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: B, Axial
공급자 장치 패키지: B, Axial
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음7,362

1N5552US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF, B
공급자 장치 패키지: D-5B
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음5,886

1N5552US/TR

Microsemi

정류기-싱글

STD RECTIFIER

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF, E
공급자 장치 패키지: D-5B
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음5,166

1N5553

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -

재고 있음57

1N5553

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: B, Axial
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음164

1N5553C.TR

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -

재고 있음2,502

1N5553US

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 5A

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -

재고 있음3,562

1N5553US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF, B
공급자 장치 패키지: B, SQ-MELF
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음6,768

1N5554

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -

재고 있음32

1N5554

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: B, Axial
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음15

1N5554C.TR

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -

재고 있음3,562

1N5554US

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 5A

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -

재고 있음5,310

1N5554US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF, B
공급자 장치 패키지: B, SQ-MELF
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음9,792

1N5554US/TR

Microsemi

정류기-싱글

STD RECTIFIER

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 9A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF, E
공급자 장치 패키지: D-5B
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음2,268

1N5614

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음177

1N5614

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: A, Axial
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C

재고 있음203

1N5614GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음7,920

1N5614GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음8,154

1N5614GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음3,132

1N5614US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF, A
공급자 장치 패키지: D-5A
작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C

재고 있음6,444

1N5615

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 27pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음5,178

1N5615

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: A, Axial
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음3,622

1N5615GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음34,986

1N5615GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음7,956

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