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다이오드 및 정류기

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부품 번호
설명
재고 있음
수량
1N5415
1N5415

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 9A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 150ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 50V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: B, Axial
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음5,148
1N5415US
1N5415US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 9A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 150ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 50V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: E-MELF
  • 공급자 장치 패키지: D-5B
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음3,852
1N5416
1N5416

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 100V 4.5A AXIAL

  • 제조업체: Semtech Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 3A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 150ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 100V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: 430pF @ 4V, 1MHz
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: Axial
  • 공급자 장치 패키지: Axial
  • 작동 온도-접합: -
재고 있음5,688
1N5416
1N5416

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 9A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 150ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 100V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: B, Axial
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음9,084
1N5416US
1N5416US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 100V 3A D5B

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 9A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 150ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 100V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: E-MELF
  • 공급자 장치 패키지: D-5B
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음6,600
1N5417
1N5417

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL

  • 제조업체: Semtech Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 3A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 150ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: 250pF @ 4V, 1MHz
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: Axial
  • 공급자 장치 패키지: Axial
  • 작동 온도-접합: -
재고 있음6,228
1N5417
1N5417

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 9A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 150ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: Axial
  • 공급자 장치 패키지: B, Axial
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음6,696
1N5417C.TR
1N5417C.TR

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL

  • 제조업체: Semtech Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 3A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 150ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: 250pF @ 4V, 1MHz
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: Axial
  • 공급자 장치 패키지: Axial
  • 작동 온도-접합: -
재고 있음4,752
1N5417-TAP
1N5417-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Avalanche
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 9A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 100ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: SOD-64, Axial
  • 공급자 장치 패키지: SOD-64
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
재고 있음8,244
1N5417TR
1N5417TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Avalanche
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 9A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 100ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: SOD-64, Axial
  • 공급자 장치 패키지: SOD-64
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
재고 있음8,712
1N5417US
1N5417US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 9A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 150ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: E-MELF
  • 공급자 장치 패키지: D-5B
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음8,874
1N5418
1N5418

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL

  • 제조업체: Semtech Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 3A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 150ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 400V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: 165pF @ 4V, 1MHz
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: Axial
  • 공급자 장치 패키지: Axial
  • 작동 온도-접합: -
재고 있음1,934
1N5418
1N5418

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 9A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 150ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 400V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SQ-MELF, B
  • 공급자 장치 패키지: B, SQ-MELF
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음1,848
1N5418C.TR
1N5418C.TR

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL

  • 제조업체: Semtech Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 3A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 150ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 400V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: 165pF @ 4V, 1MHz
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: Axial
  • 공급자 장치 패키지: Axial
  • 작동 온도-접합: -
재고 있음3,366
1N5418-TAP
1N5418-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Avalanche
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 9A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 100ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: SOD-64, Axial
  • 공급자 장치 패키지: SOD-64
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
재고 있음4,752
1N5418TR
1N5418TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Avalanche
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 9A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 100ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 400V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: SOD-64, Axial
  • 공급자 장치 패키지: SOD-64
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
재고 있음1,038
1N5418US
1N5418US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 9A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 150ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 400V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: E-MELF
  • 공급자 장치 패키지: D-5B
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음3,564
1N5419
1N5419

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 500V 4.5A AXIAL

  • 제조업체: Semtech Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 500V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 3A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 250ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 500V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: Axial
  • 공급자 장치 패키지: Axial
  • 작동 온도-접합: -
재고 있음5,220
1N5419
1N5419

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 500V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 9A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 250ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 500V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SQ-MELF, B
  • 공급자 장치 패키지: B, SQ-MELF
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음3,060
1N5419E3
1N5419E3

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 500V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 9A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 250ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 500V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: B, Axial
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음5,256
1N5419US
1N5419US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 500V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 9A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 250ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 500V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: E-MELF
  • 공급자 장치 패키지: D-5B
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음6,948
1N5420
1N5420

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 4.5A AXIAL

  • 제조업체: Semtech Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 3A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 400ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 600V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: Axial
  • 공급자 장치 패키지: Axial
  • 작동 온도-접합: -
재고 있음5,652
1N5420
1N5420

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 9A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 400ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 600V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: B, Axial
  • 공급자 장치 패키지: B, Axial
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음7,650
1N5420US
1N5420US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 9A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 400ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 600V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: E-MELF
  • 공급자 장치 패키지: D-5B
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음2,124
1N5550
1N5550

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 5A AXIAL

  • 제조업체: Semtech Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 2µs
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: Axial
  • 공급자 장치 패키지: Axial
  • 작동 온도-접합: -
재고 있음239
1N5550
1N5550

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 2µs
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: B, Axial
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음145
1N5550C.TR
1N5550C.TR

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

  • 제조업체: Semtech Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 2µs
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: Axial
  • 공급자 장치 패키지: Axial
  • 작동 온도-접합: -
재고 있음15,372
1N5550US
1N5550US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 2µs
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SQ-MELF, B
  • 공급자 장치 패키지: D-5B
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음4,842
1N5551
1N5551

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 5A AXIAL

  • 제조업체: Semtech Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
  • 전류-평균 정류 (Io): 5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 2µs
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 400V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: Axial
  • 공급자 장치 패키지: Axial
  • 작동 온도-접합: -
재고 있음4,464
1N5551
1N5551

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 2µs
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 400V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: B, Axial
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음3,456