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STS5DP3LLH6

STS5DP3LLH6

참조 용

부품 번호 STS5DP3LLH6
PNEDA 부품 번호 STS5DP3LLH6
설명 MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO
제조업체 STMicroelectronics
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재고 있음 5,418
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 4 - 5월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STS5DP3LLH6 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STS5DP3LLH6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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STS5DP3LLH6 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈DeepGATE™, STripFET™ H6
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate, 4.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs56mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds639pF @ 25V
전력-최대2.7W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36.5mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-EMH

BSL314PEL6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 6.3µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

294pF @ 15V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

PG-TSOP-6-6

SI6933DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

SSM6N62TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 1.2V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

800mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 800mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

177pF @ 10V

전력-최대

500mW (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

UF6

APTM100H45SCTG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

540mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

154nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4350pF @ 25V

전력-최대

357W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

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