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APTM100H45SCTG

APTM100H45SCTG

참조 용

부품 번호 APTM100H45SCTG
PNEDA 부품 번호 APTM100H45SCTG
설명 MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,822
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTM100H45SCTG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM100H45SCTG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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APTM100H45SCTG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈POWER MOS 7®
FET 유형4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)18A
Rds On (최대) @ Id, Vgs540mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs154nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4350pF @ 25V
전력-최대357W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP4
공급자 장치 패키지SP4

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

370A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 200A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1360nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2300W

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SP6

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제조업체

Sanken

시리즈

-

FET 유형

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

35V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

15-SIP Exposed Tab, Formed Leads

공급자 장치 패키지

15-ZIP

AON3818

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

AlphaMOS

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

24V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

840pF @ 12V

전력-최대

2.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-DFN (2.9x2.3)

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™, Polar3™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

96nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6250pF @ 25V

전력-최대

320W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-SMD Module, 9 Leads

공급자 장치 패키지

24-SMPD

DMC1028UFDB-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V, 20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.5nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

787pF @ 6V

전력-최대

1.36W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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