APTM100H45SCTG
참조 용
| 부품 번호 | APTM100H45SCTG |
| PNEDA 부품 번호 | APTM100H45SCTG |
| 설명 | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,822 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM100H45SCTG 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTM100H45SCTG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTM100H45SCTG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | POWER MOS 7® |
| FET 유형 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1000V (1kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 18A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 154nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4350pF @ 25V |
| 전력-최대 | 357W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP4 |
| 공급자 장치 패키지 | SP4 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™, Polar3™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 110mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 96nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6250pF @ 25V 전력-최대 320W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 24-SMD Module, 9 Leads 공급자 장치 패키지 24-SMPD |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V, 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A, 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18.5nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 787pF @ 6V 전력-최대 1.36W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type B) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A Rds On (최대) @ Id, Vgs 14.9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1165pF @ 10V 전력-최대 2.7W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.6W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 4-XFBGA 공급자 장치 패키지 EFCP1313-4CC-037 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 18A (Ta), 84A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1300pF @ 25V 전력-최대 3W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
