STS1DNF20
참조 용
| 부품 번호 | STS1DNF20 |
| PNEDA 부품 번호 | STS1DNF20 |
| 설명 | MOSFET N-CH 8SOIC |
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,066 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 12 - 7월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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STS1DNF20 리소스
| 브랜드 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | STS1DNF20 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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STS1DNF20 사양
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | - |
| FET 기능 | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 65mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 330pF @ 25V 전력-최대 3W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.4A, 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 26mOhm @ 6.4A, 10V, 51mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 540pF @ 15V, 760pF @ 15V 전력-최대 900mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Panasonic Electronic Components 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 310µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 910pF @ 10V 전력-최대 1.5W (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 4-XFLGA, CSP 공급자 장치 패키지 ULGA004-W-1313-RA |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 1.8V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 84mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 129pF @ 15V 전력-최대 2W (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-UDFN (2x2) |
