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FC4B22270L1

FC4B22270L1

참조 용

부품 번호 FC4B22270L1
PNEDA 부품 번호 FC4B22270L1
설명 MOSFET 2 N-CHANNEL 4SMD
제조업체 Panasonic Electronic Components
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FC4B22270L1 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FC4B22270L1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FC4B22270L1, FC4B22270L1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 871.73 KB)
PDFFC4B22270L1 데이터 시트 표지
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  • FC4B22270L1 Distributor

FC4B22270L1 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id1.4V @ 310µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs9nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds910pF @ 10V
전력-최대1.5W (Ta)
작동 온도150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스4-XFLGA, CSP
공급자 장치 패키지ULGA004-W-1313-RA

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Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

305mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

30pF @ 25V

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SC-89-6

APTMC60TLM55CT3AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (Three Level Inverter)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

48A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

49mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 2mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

98nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1900pF @ 1000V

전력-최대

250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

ALD1105SBL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N and 2 P-Channel Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

SI3983DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

46A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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