STP150N10F7
참조 용
| 부품 번호 | STP150N10F7 |
| PNEDA 부품 번호 | STP150N10F7 |
| 설명 | MOSFET N-CH 100V 110A TO-220 |
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,984 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 7 - 7월 12 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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STP150N10F7 리소스
| 브랜드 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | STP150N10F7 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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STP150N10F7 사양
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 시리즈 | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 110A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 55A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 117nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 8115pF @ 50V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 250W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 POWER MOS 7® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 550V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 124nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5823pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 463W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 ISOTOP® 패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 POWER MOS IV® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 180mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 700nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14000pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 690W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 ISOTOP® 패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC |
