APT5510JFLL
참조 용
| 부품 번호 | APT5510JFLL |
| PNEDA 부품 번호 | APT5510JFLL |
| 설명 | MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,588 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APT5510JFLL 리소스
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APT5510JFLL 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | POWER MOS 7® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 550V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 44A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 124nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5823pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 463W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 공급자 장치 패키지 | ISOTOP® |
| 패키지 / 케이스 | SOT-227-4, miniBLOC |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSVII FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 250mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 42pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 150mW (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SSM 패키지 / 케이스 SC-75, SOT-416 |
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