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STL16N60M2

STL16N60M2

참조 용

부품 번호 STL16N60M2
PNEDA 부품 번호 STL16N60M2
설명 MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT
제조업체 STMicroelectronics
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예상 배송 11월 4 - 11월 9 (신속 배송 선택)
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STL16N60M2 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STL16N60M2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STL16N60M2, STL16N60M2 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 467.58 KB)
PDFSTL16N60M2 데이터 시트 표지
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STL16N60M2 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈MDmesh™ M2
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs355mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs19nC @ 10V
Vgs (최대)±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds704pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)52W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PowerFlat™ (5x6) HV
패키지 / 케이스8-PowerVDFN

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제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

400A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

430nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1500W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PLUS247™

패키지 / 케이스

TO-247-3

IXFH20N85X

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

850V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

330mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1660pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

540W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247

패키지 / 케이스

TO-247-3

ZXMN2069FTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

STW40N95DK5

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ DK5

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

950V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

38A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3480pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

450W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247

패키지 / 케이스

TO-247-3

IRFR014TRPBF

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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