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CAT24M01WI-GT3

CAT24M01WI-GT3 CAT24M01WI-GT3

참조 용

부품 번호 CAT24M01WI-GT3
PNEDA 부품 번호 CAT24M01WI-GT3
설명 IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 24,549
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CAT24M01WI-GT3 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CAT24M01WI-GT3
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CAT24M01WI-GT3, CAT24M01WI-GT3 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 366.53 KB)
PDFCAT24M01WI-G 데이터 시트 표지
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CAT24M01WI-GT3 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수1MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간400ns
전압-공급1.8V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CY62167GE18-55BVXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

1.65V ~ 2.2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-VFBGA (6x8)

7015L20J

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

72Kb (8K x 9)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

68-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

68-PLCC (24.21x24.21)

SST26VF032BT-104I/MF

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST26 SQI®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

32Mb (4M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

1.5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WDFN (5x6)

CY62128ELL-45ZAXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

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