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STGW35NB60SD

STGW35NB60SD

참조 용

부품 번호 STGW35NB60SD
PNEDA 부품 번호 STGW35NB60SD
설명 IGBT 600V 70A 200W TO247
제조업체 STMicroelectronics
단가
1 ---------- $43.7039
100 ---------- $41.6553
250 ---------- $39.6067
500 ---------- $37.5581
750 ---------- $35.8509
1,000 ---------- $34.1437
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STGW35NB60SD 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGW35NB60SD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGW35NB60SD, STGW35NB60SD 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 241.69 KB)
PDFSTGW35NB60SD 데이터 시트 표지
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STGW35NB60SD 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈PowerMESH™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)70A
전류-수집기 펄스 (Icm)250A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 20A
전력-최대200W
에너지 전환840µJ (on), 7.4mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지83nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C92ns/1.1µs
테스트 조건480V, 20A, 100Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)44ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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제조업체

STMicroelectronics

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

전력-최대

238W

에너지 전환

190µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

114nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/210ns

테스트 조건

400V, 40A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

IRGB4620DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

32A

전류-수집기 펄스 (Icm)

36A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 12A

전력-최대

140W

에너지 전환

75µJ (on), 225µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

25nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/83ns

테스트 조건

400V, 12A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

68ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AC

FGP10N60UNDF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 10A

전력-최대

139W

에너지 전환

150µJ (on), 50µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

37nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

8ns/52.2ns

테스트 조건

400V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37.7ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

HGTG7N60A4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

34A

전류-수집기 펄스 (Icm)

56A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

전력-최대

125W

에너지 전환

55µJ (on), 60µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

37nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

11ns/100ns

테스트 조건

390V, 7A, 25Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

전력-최대

280W

에너지 전환

1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

190nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/70ns

테스트 조건

480V, 40A, 2.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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