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IXSX40N60CD1

IXSX40N60CD1

참조 용

부품 번호 IXSX40N60CD1
PNEDA 부품 번호 IXSX40N60CD1
설명 IGBT 600V 75A 280W PLUS247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 3,456
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXSX40N60CD1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXSX40N60CD1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXSX40N60CD1, IXSX40N60CD1 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 46.64 KB)
PDFIXSX40N60CD1 데이터 시트 표지
IXSX40N60CD1 데이터 시트 페이지 2

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IXSX40N60CD1 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)75A
전류-수집기 펄스 (Icm)150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 40A
전력-최대280W
에너지 전환1mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지190nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C50ns/70ns
테스트 조건480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)35ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지PLUS247™-3

관심을 가질만한 제품

NGTB50N120FL2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

전력-최대

535W

에너지 전환

4.4mJ (on), 1.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

311nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

118ns/282ns

테스트 조건

600V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

256ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

42A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

전력-최대

80W

에너지 전환

240µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

55nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/75ns

테스트 조건

480V, 24A, 18Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

AOB10B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

Alpha IGBT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

전력-최대

150W

에너지 전환

180µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

24nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/91ns

테스트 조건

400V, 10A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

262ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (D2Pak)

SGW30N60HSFKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

41A

전류-수집기 펄스 (Icm)

112A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 30A

전력-최대

250W

에너지 전환

1.15mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

141nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/250ns

테스트 조건

400V, 30A, 11Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

IRG4BC20K

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

32A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

150µJ (on), 250µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

34nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/150ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

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ADR421ARMZ-REEL7

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ADM2587EBRWZ-REEL7

ADM2587EBRWZ-REEL7

Analog Devices

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AT45DB321D-SU

AT45DB321D-SU

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SMLP34RGB2W3

SMLP34RGB2W3

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