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IRF7853PBF

IRF7853PBF IRF7853PBF

참조 용

부품 번호 IRF7853PBF
PNEDA 부품 번호 IRF7853PBF
설명 MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF7853PBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7853PBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • IRF7853PBF Distributor

IRF7853PBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs18mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.9V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs39nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1640pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.5W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SO
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 11A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

47nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4750pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOIC

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

320mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.89nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

71pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

520mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

X2-DFN1006-3

패키지 / 케이스

3-XFDFN

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Ta), 69A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 40µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-WDFN (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

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STMicroelectronics

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

150A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4040pF @ 25V

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전력 손실 (최대)

80W (Tc)

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

220mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

290pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.3W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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