NVMFD5C680NLT1G
참조 용
| 부품 번호 | NVMFD5C680NLT1G |
| PNEDA 부품 번호 | NVMFD5C680NLT1G |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,274 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 10 - 7월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NVMFD5C680NLT1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NVMFD5C680NLT1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NVMFD5C680NLT1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7.5A (Ta), 26A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.2V @ 13µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 350pF @ 25V |
| 전력-최대 | 3W (Ta), 19W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A, 5.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 42nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1932pF @ 15V 전력-최대 1.19W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 13mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1810pF @ 10V 전력-최대 1.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 467pF @ 6V 전력-최대 700mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-WDFN (2x2) |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 21.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1439pF @ 25V 전력-최대 53W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-1205, 8-LFPAK56 공급자 장치 패키지 LFPAK56D |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 290pF @ 15V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
