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M25P10-AVMN6P

M25P10-AVMN6P M25P10-AVMN6P

참조 용

부품 번호 M25P10-AVMN6P
PNEDA 부품 번호 M25P10-AVMN6P
설명 IC FLASH 1M SPI 50MHZ 8SO
제조업체 Micron Technology Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 22,241
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 21 - 6월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

M25P10-AVMN6P 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M25P10-AVMN6P
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M25P10-AVMN6P, M25P10-AVMN6P 데이터 시트 (총 페이지: 51, 크기: 1,103.38 KB)
PDFM25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 표지
M25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 페이지 2 M25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 페이지 3 M25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 페이지 4 M25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 페이지 5 M25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 페이지 6 M25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 페이지 7 M25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 페이지 8 M25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 페이지 9 M25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 페이지 10 M25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 페이지 11

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M25P10-AVMN6P 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수50MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ms, 5ms
접근 시간-
전압-공급2.3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (512 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

CY15V108QN-20LPXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MT28F128J3FS-12 MET TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

120ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-FBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (10x13)

S29GL128P10TAI010

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

BR24C21FJ-E2

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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