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NVMFD5C478NWFT1G

NVMFD5C478NWFT1G

참조 용

부품 번호 NVMFD5C478NWFT1G
PNEDA 부품 번호 NVMFD5C478NWFT1G
설명 40V 17 MOHM T8 S08FL DUAL
제조업체 ON Semiconductor
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NVMFD5C478NWFT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NVMFD5C478NWFT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NVMFD5C478NWFT1G, NVMFD5C478NWFT1G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 196.47 KB)
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NVMFD5C478NWFT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9.8A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs17mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6.3nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds325pF @ 25V
전력-최대3.1W (Ta), 23W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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제조업체

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1020pF @ 15V

전력-최대

15.6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

8-VSON (3.3x3.3)

AON2801L#A

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

700pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-DFN (2x2)

SI4569DY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A, 7.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

855pF @ 20V

전력-최대

3.1W, 3.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMP2065UFDB-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

752pF @ 15V

전력-최대

1.54W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type B)

QS6M3TR

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V, 20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

230mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

80pF @ 10V

전력-최대

1.25W

작동 온도

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