CSD87503Q3ET
참조 용
| 부품 번호 | CSD87503Q3ET |
| PNEDA 부품 번호 | CSD87503Q3ET |
| 설명 | 30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,796 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 26 - 7월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CSD87503Q3ET 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD87503Q3ET |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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CSD87503Q3ET 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 17.4nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1020pF @ 15V |
| 전력-최대 | 15.6W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-VSON (3.3x3.3) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17A, 33A Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1150pF @ 15V 전력-최대 3.6W, 4.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 STripFET™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 815pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.5A, 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 17mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1060pF @ 10V 전력-최대 1.5W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 8-ECH |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 17pF @ 25V 전력-최대 300mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 US6 |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-DFN-EP (2x5) |
