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NE3516S02-A

NE3516S02-A

참조 용

부품 번호 NE3516S02-A
PNEDA 부품 번호 NE3516S02-A
설명 IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
제조업체 CEL
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE3516S02-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE3516S02-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
NE3516S02-A, NE3516S02-A 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 1,199.77 KB)
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NE3516S02-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel GaAs HJ-FET
주파수12GHz
이득14dB
전압-테스트2V
전류 정격 (Amps)60mA
소음 수치0.35dB
현재-테스트10mA
전원-출력165mW
전압-정격4V
패키지 / 케이스4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지S02

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전류 정격 (Amps)

64A

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1110A

공급자 장치 패키지

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이득

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전압-테스트

28V

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10µA

소음 수치

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현재-테스트

750mA

전원-출력

110W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-36248-2

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

850mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121B

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

19.8dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

33W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

OM-780-2

공급자 장치 패키지

OM-780-2

IXZR08N120B-00

IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

Z-MOS™

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

65MHz

이득

23dB

전압-테스트

100V

전류 정격 (Amps)

8A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

250W

전압-정격

1200V

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

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