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BLF6G10L-260PBM,11

BLF6G10L-260PBM,11

참조 용

부품 번호 BLF6G10L-260PBM,11
PNEDA 부품 번호 BLF6G10L-260PBM-11_E3
설명 RF FET LDMOS 65V SOT1110A
제조업체 Ampleon
단가
1 ---------- $1,269.9753
50 ---------- $1,210.4452
100 ---------- $1,150.9151
200 ---------- $1,091.3850
400 ---------- $1,041.7766
500 ---------- $992.1682
재고 있음 3,784
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BLF6G10L-260PBM 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G10L-260PBM,11
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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BLF6G10L-260PBM 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수-
이득-
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)64A
소음 수치-
현재-테스트1.8A
전원-출력40W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1110A
공급자 장치 패키지LDMOST

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Ampleon USA Inc.

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

16.2dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

570W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1258-7

공급자 장치 패키지

SOT-1258-7

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2GHz ~ 2.2GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

50W

전압-정격

-

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

200MHz

이득

-

전압-테스트

8V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

0.6dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

12V

패키지 / 케이스

SOT-143R

공급자 장치 패키지

SOT-143R

PXFC193808SVV1R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.03GHz ~ 1.09GHz

이득

19.2dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

770W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

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