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NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

참조 용

부품 번호 NE3515S02-T1C-A
PNEDA 부품 번호 NE3515S02-T1C-A
설명 FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
제조업체 CEL
단가 견적 요청
재고 있음 1,819
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE3515S02-T1C-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE3515S02-T1C-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
NE3515S02-T1C-A, NE3515S02-T1C-A 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 1,210.01 KB)
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NE3515S02-T1C-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형HFET
주파수12GHz
이득12.5dB
전압-테스트2V
전류 정격 (Amps)88mA
소음 수치0.3dB
현재-테스트10mA
전원-출력14dBm
전압-정격4V
패키지 / 케이스4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지S02

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전류 정격 (Amps)

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소음 수치

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현재-테스트

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전원-출력

25W

전압-정격

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패키지 / 케이스

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이득

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전압-테스트

12V

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전원-출력

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주파수

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25dB

전압-테스트

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전원-출력

125W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

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NI-1230

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

19.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

56W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

OM-780-2G

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OM-780-2 Gull

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

850mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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