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AFT09S200W02GNR3

AFT09S200W02GNR3

참조 용

부품 번호 AFT09S200W02GNR3
PNEDA 부품 번호 AFT09S200W02GNR3
설명 FET RF 70V 960MHZ PLD
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,006
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 17 - 7월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AFT09S200W02GNR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFT09S200W02GNR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
AFT09S200W02GNR3, AFT09S200W02GNR3 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 856.97 KB)
PDFAFT09S200W02NR3 데이터 시트 표지
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AFT09S200W02GNR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수960MHz
이득19.2dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력56W
전압-정격70V
패키지 / 케이스OM-780-2G
공급자 장치 패키지OM-780-2 Gull

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-

현재-테스트

970mA

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전압-정격

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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소음 수치

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현재-테스트

1.4A

전원-출력

130W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

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주파수

-

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-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

63W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

512MHz

이득

25.9dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

10mA

전원-출력

25W

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공급자 장치 패키지

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