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MUR2520R

MUR2520R

참조 용

부품 번호 MUR2520R
PNEDA 부품 번호 MUR2520R
설명 DIODE GEN PURP REV 200V 25A DO4
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,316
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 16 - 6월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MUR2520R 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MUR2520R
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MUR2520R, MUR2520R 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 785.83 KB)
PDFMUR2520R 데이터 시트 표지
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MUR2520R 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard, Reverse Polarity
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)25A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 25A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)75ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AA, DO-4, Stud
공급자 장치 패키지DO-4
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

530mV @ 20A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerDI™ 5

공급자 장치 패키지

PowerDI™ 5

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SK34AE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB (DO-214AA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

1N4936G R1G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

200ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

S70MR

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

70A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 70A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

7.5A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

630mV @ 7.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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