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NPT1012B

NPT1012B NPT1012B

참조 용

부품 번호 NPT1012B
PNEDA 부품 번호 NPT1012B
설명 HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ
제조업체 M/A-Com Technology Solutions
단가 견적 요청
재고 있음 5,976
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 16 - 6월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NPT1012B 리소스

브랜드 M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NPT1012B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
NPT1012B, NPT1012B 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 1,010.97 KB)
PDFNPT1012B 데이터 시트 표지
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NPT1012B 사양

제조업체M/A-Com Technology Solutions
시리즈-
트랜지스터 유형HEMT
주파수0Hz ~ 4GHz
이득13dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트225mA
전원-출력-
전압-정격100V
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.81GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

90W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

RFM01U7P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

520MHz

이득

10.8dB

전압-테스트

7.2V

전류 정격 (Amps)

1A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1.2W

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

PW-MINI

PTFA092213ELV4R250XTMA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CGHV27200F

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

15dB ~ 16dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

12A

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

200W

전압-정격

50V

패키지 / 케이스

440162

공급자 장치 패키지

440162

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