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NPT1012B

NPT1012B NPT1012B

참조 용

부품 번호 NPT1012B
PNEDA 부품 번호 NPT1012B
설명 HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ
제조업체 M/A-Com Technology Solutions
단가 견적 요청
재고 있음 5,976
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NPT1012B 리소스

브랜드 M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NPT1012B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
NPT1012B, NPT1012B 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 1,010.97 KB)
PDFNPT1012B 데이터 시트 표지
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  • NPT1012B Distributor

NPT1012B 사양

제조업체M/A-Com Technology Solutions
시리즈-
트랜지스터 유형HEMT
주파수0Hz ~ 4GHz
이득13dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트225mA
전원-출력-
전압-정격100V
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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600mA

전원-출력

14W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-270AA

공급자 장치 패키지

TO-270-2

MMBFJ304

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

MRF377HR5

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

860MHz

이득

18.2dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-860C3

공급자 장치 패키지

NI-860C3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

18.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

24W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

RFM01U7P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

520MHz

이득

10.8dB

전압-테스트

7.2V

전류 정격 (Amps)

1A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1.2W

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-243AA

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