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MS2225H

MS2225H

참조 용

부품 번호 MS2225H
PNEDA 부품 번호 MS2225H
설명 RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,194
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 29 - 7월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MS2225H 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MS2225H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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MS2225H 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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주파수-전환

5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 500MHz

이득

13dB ~ 15.5dB

전력-최대

1.25W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-SOIC

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BFP 720FESD E6327

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

4.7V

주파수-전환

45GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz

이득

10dB ~ 29dB

전력-최대

100mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 15mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

4-TSFP

SD1372-06H

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

6V

주파수-전환

12GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

이득

10dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143

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