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SSM3J328R,LF

SSM3J328R,LF SSM3J328R,LF

참조 용

부품 번호 SSM3J328R,LF
PNEDA 부품 번호 SSM3J328R-LF
설명 MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SSM3J328R 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SSM3J328R,LF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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SSM3J328R 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈U-MOSVI
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12.8nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds840pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1W (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-23F
패키지 / 케이스SOT-23-3 Flat Leads

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.8mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (최대)

+20V, -16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1385pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

26.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.8Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

590pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.27Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

622pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

69W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

IPAK (TO-251)

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TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

48A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

330nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8900pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

560W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

266nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

600W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

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