MMRF2011NT1
참조 용
| 부품 번호 | MMRF2011NT1 |
| PNEDA 부품 번호 | MMRF2011NT1 |
| 설명 | SINGLE W-CDMA RF LDMOS WIDEBAND |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,686 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 10 - 7월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MMRF2011NT1 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MMRF2011NT1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
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MMRF2011NT1 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 728MHz ~ 960MHz |
| 이득 | - |
| 전압-테스트 | - |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | - |
| 전원-출력 | 1.6W |
| 전압-정격 | 28V |
| 패키지 / 케이스 | 24-QFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 24-PQFN-EP (8x8) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual), Common Source 주파수 2.7GHz ~ 3GHz 이득 12dB 전압-테스트 32V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 200W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT539A 공급자 장치 패키지 SOT539A |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2GHz 이득 13.3dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 12A 소음 수치 - 현재-테스트 500mA 전원-출력 54W 전압-정격 80V 패키지 / 케이스 M243 공급자 장치 패키지 M243 |
제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 트랜지스터 유형 E-pHEMT 주파수 10GHz 이득 9dB 전압-테스트 3V 전류 정격 (Amps) 100mA 소음 수치 0.81dB 현재-테스트 20mA 전원-출력 12dBm 전압-정격 5V 패키지 / 케이스 0402 (1005 Metric) 공급자 장치 패키지 0402 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel JFET 주파수 - 이득 12dB 전압-테스트 10V 전류 정격 (Amps) 60mA 소음 수치 - 현재-테스트 10mA 전원-출력 - 전압-정격 25V 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel Dual Gate 주파수 800MHz 이득 26dB 전압-테스트 5V 전류 정격 (Amps) 30mA 소음 수치 1.2dB 현재-테스트 12mA 전원-출력 - 전압-정격 10V 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 6-TSSOP |
