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J175

J175

참조 용

부품 번호 J175
PNEDA 부품 번호 J175_105
설명 JFET P-CHAN 30V TO92
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가 견적 요청
재고 있음 2,772
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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J175 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호J175
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
J175, J175 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 83.42 KB)
PDFJ175 데이터 시트 표지
J175 데이터 시트 페이지 2

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J175 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
FET 유형P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)30V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)7mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id3V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5.5pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐)125 Ohms
전력-최대350mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92

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2V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

12 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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ON Semiconductor

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전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

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전류 드레인 (Id)-최대

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전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3.5pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

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전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

KSK30YTA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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1.2mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

400mV @ 100nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8.2pF @ 0V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 100nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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