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FJN598JABU

FJN598JABU

참조 용

부품 번호 FJN598JABU
PNEDA 부품 번호 FJN598JABU
설명 JFET N-CH 20V 0.15W TO92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,070
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 24 - 7월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FJN598JABU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FJN598JABU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
FJN598JABU, FJN598JABU 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 51.17 KB)
PDFFJN598JCBU 데이터 시트 표지
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FJN598JABU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)20V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)100µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id600mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3.5pF @ 5V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대150mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

250 Ohms

전력-최대

300mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23 (TO-236AB)

J176-D74Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

250 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

DSK5J01Q0L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

30mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

5V @ 10µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-85

공급자 장치 패키지

SMini3-F2-B

BSR57,215

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

5V @ 0.5nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

40 Ohms

전력-최대

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23 (TO-236AB)

J109

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

40mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

12 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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