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IXFD23N60Q-72

IXFD23N60Q-72

참조 용

부품 번호 IXFD23N60Q-72
PNEDA 부품 번호 IXFD23N60Q-72
설명 MOSFET N-CHANNEL 600V DIE
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 2,754
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXFD23N60Q-72 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFD23N60Q-72
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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IXFD23N60Q-72 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
공급자 장치 패키지Die
패키지 / 케이스Die

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MOSFET (Metal Oxide)

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100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

12V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 6.5A, 12V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 12V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

300mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1Ohm @ 300mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

25pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

480pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

45W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

120V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

100W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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4.3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

850mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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