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IRG4BC20UD-S

IRG4BC20UD-S

참조 용

부품 번호 IRG4BC20UD-S
PNEDA 부품 번호 IRG4BC20UD-S
설명 IGBT 600V 13A 60W D2PAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,328
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG4BC20UD-S 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG4BC20UD-S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG4BC20UD-S, IRG4BC20UD-S 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 240.39 KB)
PDFIRG4BC20UD-STRR 데이터 시트 표지
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IRG4BC20UD-S 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)13A
전류-수집기 펄스 (Icm)52A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 6.5A
전력-최대60W
에너지 전환160µJ (on), 130µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지27nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C39ns/93ns
테스트 조건480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)37ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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IRG4BC20F-S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

64A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

70µJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/190ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

NGTB60N65FL2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

전력-최대

595W

에너지 전환

1.59mJ (on), 660µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

318nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

117ns/265ns

테스트 조건

400V, 60A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

96ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IXGP7N60C

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

전력-최대

54W

에너지 전환

70µJ (on), 120µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

25nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

9ns/65ns

테스트 조건

480V, 7A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

FGPF45N45TTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

450V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 20A

전력-최대

51.6W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

STGF10H60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 10A

전력-최대

30W

에너지 전환

83µJ (on), 140µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

57nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19.5ns/103ns

테스트 조건

400V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

107ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

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