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STGF10H60DF

STGF10H60DF

참조 용

부품 번호 STGF10H60DF
PNEDA 부품 번호 STGF10H60DF
설명 IGBT 600V 20A 30W TO220FP
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 6,012
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 16 - 6월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STGF10H60DF 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGF10H60DF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGF10H60DF, STGF10H60DF 데이터 시트 (총 페이지: 24, 크기: 1,730.11 KB)
PDFSTGF10H60DF 데이터 시트 표지
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STGF10H60DF 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)20A
전류-수집기 펄스 (Icm)40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 10A
전력-최대30W
에너지 전환83µJ (on), 140µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지57nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C19.5ns/103ns
테스트 조건400V, 10A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)107ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220FP

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 75A

전력-최대

452W

에너지 전환

2.7mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

250nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/138ns

테스트 조건

400V, 75A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IRG8P25N120KDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

전력-최대

180W

에너지 전환

800µJ (on), 900µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

135nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/170ns

테스트 조건

600V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

IGW30N60TPXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

53A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

전력-최대

200W

에너지 전환

710µJ (on), 420µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

130nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/179ns

테스트 조건

400V, 30A, 10.5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 40A

전력-최대

380W

에너지 전환

4.5mJ (on), 3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

138nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/290ns

테스트 조건

960V, 40A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

IXBX25N250

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 25A

전력-최대

300W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

103nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.6µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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