IDDD08G65C6XTMA1
참조 용
| 부품 번호 | IDDD08G65C6XTMA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IDDD08G65C6XTMA1 |
| 설명 | SIC DIODES |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,778 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IDDD08G65C6XTMA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IDDD08G65C6XTMA1 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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IDDD08G65C6XTMA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | CoolSiC™+ |
| 다이오드 유형 | Silicon Carbide Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 650V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 24A (DC) |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | - |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 0ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 27µA @ 420V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 401pF @ 1V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 10-PowerSOP Module |
| 공급자 장치 패키지 | PG-HDSOP-10-1 |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 SWITCHMODE™ 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 80V 전류-평균 정류 (Io) 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 800mV @ 10A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 80V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220-2 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 SOD-57, Axial 공급자 장치 패키지 SOD-57 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 80V 전류-평균 정류 (Io) 15A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 660mV @ 15A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1.2mA @ 80V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-277, 3-PowerDFN 공급자 장치 패키지 TO-277A (SMPC) 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 500mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 250µA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F 65pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AD 공급자 장치 패키지 MicroSMP (DO-219AD) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 3.5V @ 5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 100ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 Full Pack 공급자 장치 패키지 TO-220F-2L 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
