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HGTD7N60C3S9A

HGTD7N60C3S9A

참조 용

부품 번호 HGTD7N60C3S9A
PNEDA 부품 번호 HGTD7N60C3S9A
설명 IGBT 600V 14A 60W TO252AA
제조업체 ON Semiconductor
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HGTD7N60C3S9A 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HGTD7N60C3S9A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
HGTD7N60C3S9A, HGTD7N60C3S9A 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 285.72 KB)
PDFHGTD7N60C3S9A 데이터 시트 표지
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HGTD7N60C3S9A 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)14A
전류-수집기 펄스 (Icm)56A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 7A
전력-최대60W
에너지 전환165µJ (on), 600µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지23nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지TO-252AA

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

전력-최대

385W

에너지 전환

990µJ (on), 660µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

181nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/113ns

테스트 조건

600V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

136ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-4

공급자 장치 패키지

TO-247-4L

APT36GA60BD15

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65A

전류-수집기 펄스 (Icm)

109A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

290W

에너지 전환

307µJ (on), 254µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/122ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

IHW40N65R5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 40A

전력-최대

230W

에너지 전환

630µJ (on), 140µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

193nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/258ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

90ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6A

전력-최대

100W

에너지 전환

110µJ (on), 220µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

48nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/127ns

테스트 조건

400V, 6A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

68ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

RJH60M2DPE-00#J3

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

전력-최대

63W

에너지 전환

180µJ (on), 180µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

33nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

32ns/70ns

테스트 조건

300V, 12A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

85ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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