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AFT27S010NT1

AFT27S010NT1 AFT27S010NT1

참조 용

부품 번호 AFT27S010NT1
PNEDA 부품 번호 AFT27S010NT1
설명 FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W
제조업체 NXP
단가
1 ---------- $15.3780
100 ---------- $14.6572
250 ---------- $13.9364
500 ---------- $13.2155
750 ---------- $12.6148
1,000 ---------- $12.0141
재고 있음 1,673
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AFT27S010NT1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFT27S010NT1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
AFT27S010NT1, AFT27S010NT1 데이터 시트 (총 페이지: 28, 크기: 1,116.07 KB)
PDFAFT27S010NT1 데이터 시트 표지
AFT27S010NT1 데이터 시트 페이지 2 AFT27S010NT1 데이터 시트 페이지 3 AFT27S010NT1 데이터 시트 페이지 4 AFT27S010NT1 데이터 시트 페이지 5 AFT27S010NT1 데이터 시트 페이지 6 AFT27S010NT1 데이터 시트 페이지 7 AFT27S010NT1 데이터 시트 페이지 8 AFT27S010NT1 데이터 시트 페이지 9 AFT27S010NT1 데이터 시트 페이지 10 AFT27S010NT1 데이터 시트 페이지 11

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AFT27S010NT1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.17GHz
이득21.7dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트90mA
전원-출력1.26W
전압-정격65V
패키지 / 케이스PLD-1.5W
공급자 장치 패키지PLD-1.5W

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.92GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

37W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

225MHz

이득

25dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.6A

전원-출력

125W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

2N5247_J35Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

400MHz

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

4dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

200MHz

이득

25dB

전압-테스트

15V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

788.5MHz ~ 823.5MHz

이득

23dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

11A

소음 수치

-

현재-테스트

390mA

전원-출력

2.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1112A

공급자 장치 패키지

CDFM6

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