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FGA15N120ANTDTU

FGA15N120ANTDTU

참조 용

부품 번호 FGA15N120ANTDTU
PNEDA 부품 번호 FGA15N120ANTDTU
설명 IGBT 1200V 30A 186W TO3P
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 3,132
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 20 - 7월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGA15N120ANTDTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA15N120ANTDTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA15N120ANTDTU, FGA15N120ANTDTU 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 20,226.43 KB)
PDFFGA15N120ANTDTU 데이터 시트 표지
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FGA15N120ANTDTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형NPT and Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전류-수집기 펄스 (Icm)45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 15A
전력-최대186W
에너지 전환3mJ (on), 600µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C15ns/160ns
테스트 조건600V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)330ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

전력-최대

150W

에너지 전환

700µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

55nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/110ns

테스트 조건

480V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

IRG7CH50K10EF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 25A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/280ns

테스트 조건

600V, 35A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

제조업체

IXYS

시리즈

XPT™, GenX3™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

410A

전류-수집기 펄스 (Icm)

1100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 100A

전력-최대

1560W

에너지 전환

5mJ (on), 4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

340nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/370ns

테스트 조건

400V, 100A, 0Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

108ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

RGTV00TS65GC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

95A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전력-최대

276W

에너지 전환

1.17mJ (on), 940µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

104nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

41ns/142ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

APT11GP60BDQBG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

41A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 11A

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187W

에너지 전환

46µJ (on), 90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

40nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

7ns/29ns

테스트 조건

400V, 11A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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