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IXYX200N65B3

IXYX200N65B3

참조 용

부품 번호 IXYX200N65B3
PNEDA 부품 번호 IXYX200N65B3
설명 IGBT
제조업체 IXYS
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 17 - 7월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXYX200N65B3 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXYX200N65B3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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IXYX200N65B3 사양

제조업체IXYS
시리즈XPT™, GenX3™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)410A
전류-수집기 펄스 (Icm)1100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 100A
전력-최대1560W
에너지 전환5mJ (on), 4mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지340nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C60ns/370ns
테스트 조건400V, 100A, 0Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)108ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지PLUS247™-3

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제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

56A

전류-수집기 펄스 (Icm)

130A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

전력-최대

190W

에너지 전환

350µJ (on), 340µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

64nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/192ns

테스트 조건

360V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

30ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

NGTB25N120LWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 25A

전력-최대

192W

에너지 전환

3.4mJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

89ns/235ns

테스트 조건

600V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

GT10G131(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 4V, 200A

전력-최대

1W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

3.1µs/2µs

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP (5.5x6.0)

IRG4BC20U

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

13A

전류-수집기 펄스 (Icm)

52A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

전력-최대

60W

에너지 전환

100µJ (on), 120µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/86ns

테스트 조건

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

AUIRG4PH50S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

57A

전류-수집기 펄스 (Icm)

114A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 33A

전력-최대

200W

에너지 전환

1.8mJ (on), 19.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

167nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

32ns/845ns

테스트 조건

960V, 33A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

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