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FDG6322C_D87Z

FDG6322C_D87Z

참조 용

부품 번호 FDG6322C_D87Z
PNEDA 부품 번호 FDG6322C_D87Z
설명 MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDG6322C_D87Z 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDG6322C_D87Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDG6322C_D87Z, FDG6322C_D87Z 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 250.48 KB)
PDFFDG6322C_D87Z 데이터 시트 표지
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FDG6322C_D87Z 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)220mA, 410mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds9.5pF @ 10V
전력-최대300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-88 (SC-70-6)

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

49nC @ 10V, 200nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

전력-최대

4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-PowerPair® (6x5)

FC4B22270L1

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 310µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

910pF @ 10V

전력-최대

1.5W (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFLGA, CSP

공급자 장치 패키지

ULGA004-W-1313-RA

FMP36-015P

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제조업체

IXYS

시리즈

Polar™

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A, 22A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2250pF @ 25V

전력-최대

125W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5

공급자 장치 패키지

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APTC60DSKM24T3G

Microsemi

제조업체

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시리즈

CoolMOS™

FET 유형

2 N Channel (Dual Buck Chopper)

FET 기능

Super Junction

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

95A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14400pF @ 25V

전력-최대

462W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

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제조업체

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

780pF @ 25V

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