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DXT2010P5-13

DXT2010P5-13

참조 용

부품 번호 DXT2010P5-13
PNEDA 부품 번호 DXT2010P5-13
설명 TRANS NPN 60V 6A POWERDI5
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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DXT2010P5-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DXT2010P5-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
DXT2010P5-13, DXT2010P5-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 198.66 KB)
PDFDXT2010P5-13 데이터 시트 표지
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DXT2010P5-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic260mV @ 300mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대)20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 2A, 1V
전력-최대3.2W
주파수-전환130MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerDI™ 5
공급자 장치 패키지PowerDI™ 5

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1A

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60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

135 @ 100mA, 2V

전력-최대

750mW

주파수-전환

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작동 온도

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 2.5A, 5V

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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U3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

200V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

250nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 30mA, 10V

전력-최대

250mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

290 @ 2mA, 10V

전력-최대

200mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

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전류-수집기 (Ic) (최대)

300mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.4V @ 200µA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

7000 @ 2mA, 5V

전력-최대

625mW

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60MHz

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